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申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要：本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。
主权项：1.一种激光直写仿真的方法，其特征在于，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置，包括：获取待刻蚀材料的参数及厚度，根据所述待刻蚀材料的参数及厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置；其中，各个焦平面相互平行且均位于水平面上；根据各个焦平面的位置和所述激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；所述多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在所述待刻蚀材料上产生预设的立体图案，所述立体图案的高宽比大于预设值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 激光直写及其仿真的方法、装置
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