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一种光寻址-突触型神经递质传感器 

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申请/专利权人:南开大学

摘要:本发明提供了一种光寻址‑突触光突触型神经递质传感器的结构设计及制备方法,该光突触型神经递质传感器主要包含突触区和光控神经递质敏感区两部分。其中突触区包括底电极层、在底电极层上形成的神经仿生层、在神经仿生层上形成的顶电极层;光控神经递质敏感区与突触区相邻,该区域包括光闸层,在光闸层表面修饰的神经递质受体蛋白,滴加在该区域的电解质溶液以及悬浮于其中的铂电极。该发明采用全液相剥离、旋涂和微电子打印技术制备,是一种低成本、高通量的新型神经形态生化传感器件,将为人工突触器件在脑科学以及仿生视觉传感系统领域的发展注入新的活力。

主权项:1.一种光寻址-突触光突触型神经递质传感器,其特征在于,包括突触区和光控神经递质敏感区两部分;所述突触区包括底电极层、在底电极层上形成的神经仿生层、在神经仿生层上形成的顶电极层;所述光控神经地质敏感区与突触区相邻;光控神经地质敏感区包括光闸层,在光闸层表面修饰的神经递质受体蛋白,滴加在该区域的电解质溶液以及悬浮于其中的铂电极;光闸层由二维纳米异质结构成,在光照作用下,电子通过光闸层向神经仿生层纵向迁移;所述突触区用于模拟光控神经地质敏感区受到光照后载流子迁移引起的突触可塑性行为;所述突触区的制备:a.使用丙酮,酒精和去离子水分别将所选择的ITO导电玻璃超声清洗10min以去除表面杂质;b.将处理好的ITO底电极在无尘环境中晾干备用;c.将少层Ti3C2纳米片以1000rpmmin的速度旋涂于ITO导电玻璃上;d.随后以80℃退火10min以形成一层Ti3C2薄膜;e.以上过程重复三遍以形成致密均匀的Ti3C2薄膜;f.使用微电子打印机在Ti3C2上制备出直径为100μm的圆形金属Ag电极;g.在80℃环境下晾干以形成AgTi3C2ITO双端突触器件;光闸层的制备:a.将少层MoS2纳米片以1000rpmmin的速度旋涂于Ag电极旁的Ti3C2神经仿生层;b.随后以80℃退火10min以形成一层MoS2薄膜;c.以上过程重复三遍以形成致密均匀的MoS2薄膜;光控神经递质敏感区的制备:a.在突触区以及光闸层制备完成后,使用微电子打印机将绝缘油墨在光闸层上构建出可光控神经递质及其受体蛋白反应区,以作为光控区并承载神经递质及其受体蛋白的反应;b.将10μL磷酸盐缓冲液滴加在修饰好神经递质受体蛋白的光控神经递质敏感区作为第三端液态电极,并将金属铂电极悬浮在第三端液态电极区域上方。

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