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申请/专利权人：杭州晶宝新能源科技有限公司
摘要：本发明公开了一种对硅片进行吸杂的方法及硅片，涉及硅片制造领域，所述方法包括：对初始硅片的表面进行腐蚀处理，得到具有表面微结构的第一硅片；所述第一硅片的比表面积为10m2g~500m2g；在所述第一硅片的表面覆盖磷源，所述磷源为含磷化合物；将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，以使得所述磷源与所述第一硅片反应，并在所述第一硅片的表面形成磷吸杂层；清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层，得到吸杂硅片。本发明具有降低硅片的金属杂质含量的优点。
主权项：1.一种对硅片进行吸杂的方法，其特征在于，包括：对初始硅片的表面进行腐蚀处理，得到具有表面微结构的第一硅片；所述第一硅片的比表面积为10m2g~500m2g；在所述第一硅片的表面覆盖磷源，所述磷源为含磷化合物；将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间，以使得所述磷源与所述第一硅片反应，并在所述第一硅片的表面形成磷吸杂层；清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层，得到吸杂硅片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州晶宝新能源科技有限公司 一种对硅片进行吸杂的方法及硅片
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