龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：闽南师范大学
摘要：本发明涉及一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法，属于化学气相沉积法制备新型二维纳米材料领域。该方法包括：（a）将Ge衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后浸泡在稀释的HF中，取出后去离子水清洗，用匀胶机甩干备用；（b）将Ge衬底与Se粉放入管式炉中进行反应；（c）采用高真空磁控溅射薄膜沉积系统在硒化后的Ge衬底上溅射一层Pt薄膜；（d）再将溅射Pt后的Ge衬底与Se粉一同放入管式炉中进行反应制备Ge上PtSe2薄膜。本发明首次提出先将Ge衬底与Se粉反应生成一层阻挡层，再溅射Pt硒化，成功在Ge衬底上原位制备出PtSe2薄膜。
主权项：1.一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a将Ge衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后浸泡在HF中，取出后用去离子水清洗，用匀胶机甩干备用；b将Ge衬底与Se粉放入管式炉中进行反应；c采用高真空磁控溅射薄膜沉积系统在硒化后的Ge衬底上溅射一层Pt薄膜；d将溅射Pt薄膜后的Ge衬底与Se粉一同放入三温区管式炉中进行反应制备Ge上PtSe2薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽南师范大学 一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号