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一种梯度热膨胀系数低温共烧陶瓷基板及其制备方法 

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申请/专利权人:成都爱科特科技发展有限公司

摘要:本发明公开了一种梯度热膨胀系数低温共烧陶瓷基板及其制备方法,所述陶瓷由以下质量百分比成分组成:硼硅酸盐玻璃80%‑95%,氧化铝5%‑20%,其他氧化物为0.05%‑3%,经球磨、烘干、研磨、煅烧、造粒、流延、叠加成型、烧结而制得。本发明陶瓷材料的热膨胀系数从2.6ppm℃‑16.7ppm℃的范围内可调,由这些陶瓷材料叠加共烧所形成的多层梯度热膨胀系数陶瓷封装结构可与银、铜和金等电极材料共烧,并通过其梯度热膨胀效应消除陶瓷基板与PCB板及芯片材料(Si、GaN和GaAs)之间的热应力失配问题。

主权项:1.一种梯度热膨胀系数低温共烧陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷由以下质量百分比成分组成:硼硅酸盐玻璃80%-95%,氧化铝5%-20%,其他氧化物为0.05%-3%,所述其他氧化物为SrO、BaO、CaO、Na2O、K2O、Y2O3、La2O3、TiO2、Cr2O3、CoO中的至少两种。

全文数据:

权利要求:

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