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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种金属刻蚀方法，包括：提供一半导体器件，半导体器件表面形成有金属层，金属层表面存在晶界缝隙；在金属层表面涂覆光刻胶并进行曝光显影，以在光刻胶中形成图形窗口，图形窗口显露有晶界缝隙，晶界缝隙存在光刻胶残留；通入氧气并使其形成氧等离子体，对半导体器件表面的光刻胶和图形窗口中的金属层及晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理，以去除晶界缝隙中的光刻胶残留。本发明通过氧气去除晶界缝隙中的光刻胶残留，可以使得下方金属层在刻蚀时可以被完全去除而无金属残留，从而可以避免器件短路和漏电风险，大大提升器件的良率和稳定性。
主权项：1.一种金属刻蚀方法，其特征在于，所述金属刻蚀方法包括：提供一半导体器件，所述半导体器件表面形成有金属层，所述金属层表面存在晶界缝隙；在所述金属层表面涂覆光刻胶并进行曝光显影，以在所述光刻胶中形成图形窗口，所述图形窗口显露有所述晶界缝隙，所述晶界缝隙存在光刻胶残留；通入氧气并使其形成氧等离子体，对所述半导体器件表面的光刻胶和所述图形窗口中的金属层及所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理，以去除所述晶界缝隙中的光刻胶残留。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 金属刻蚀方法
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