龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明提供一种利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，通过介质层隔离阻性场板层与N型氧化镓外延层，以确保电流不从半导体经阻性场板层流向阳极，使得阻性场板上的电流是均匀的；基于阻性场板层的高电阻率，使得当耐压区反向耐压时，阻性场板中流过微弱的电流，在电流的路径上产生均匀的电势分布，以对半导体中的表面电场分布起到调制作用，使得表面电场呈均匀分布，以提高反向击穿电压。阻性场板层的制备方法为：通过磁控溅射技术沉积氧化镍薄膜，对磁控溅射中包括射频功率、射频温度、射频氩氧比以及射频气压的参数进行调控，以实现电阻率均匀的高阻氧化镍薄膜。
主权项：1.一种利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，其特征在于：通过介质层隔离阻性场板层与N型氧化镓外延层，以确保电流不从半导体经阻性场板层流向阳极，使得阻性场板上的电流是均匀的；基于阻性场板层的高电阻率，使得当耐压区反向耐压时，阻性场板中流过微弱的电流，在电流的路径上产生均匀的电势分布，以对半导体中的表面电场分布起到调制作用，使得表面电场呈均匀分布，以提高反向击穿电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号