买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司

摘要：本发明公开了一种功率器件封装结构包括：引线框架、上管和下管MOSFET、驱动芯片、铜片夹扣、第一和第二陶瓷覆铜板。上管MOSFET正装在引线框架的第一载片台上，下管MOSFET倒装在引线框架的第二载片台上。铜片夹扣连接上管MOSFET的源极衬垫和下管MOSFET的漏极衬垫并连接到第一框架引脚。上管MOSFET的正面包括第一和第二区域，铜片夹扣覆盖第一区域。第一陶瓷覆铜板设置在铜片夹扣上。第二陶瓷覆铜板设置在第一载片台上位于上管MOSFET覆盖区域外的第三区域。上管MOSFET的栅极衬垫和第二陶瓷覆铜板电连接。驱动芯片叠加在第二区域上。环氧塑封料包封第一陶瓷覆铜板之外的正面区域。还本发明还公开了一种功率器件封装方法。本发明能实现芯片堆叠从而减少面积，同时还能实现双面散热。

主权项：1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括：引线框架、上管MOSFET、下管MOSFET、驱动芯片、铜片夹扣、第一陶瓷覆铜板和第二陶瓷覆铜板；所述引线框架包括第一载片台、第二载片台和多个框架引脚；所述上管MOSFET的背面设置有漏极衬垫、正面设置有源极衬垫和栅极衬垫；所述下管MOSFET的背面设置有漏极衬垫、正面设置有源极衬垫和栅极衬垫；所述上管MOSFET正装在所述第一载片台上，所述下管MOSFET倒装在所述第二载片台上；所述铜片夹扣连接所述上管MOSFET的源极衬垫和所述下管MOSFET的漏极衬垫并连接到第一框架引脚；所述上管MOSFET的正面包括第一区域以及第二区域，所述铜片夹扣覆盖所述第一区域并将所述第二区域暴露，所述上管MOSFET的栅极衬垫设置在所述第二区域中；所述第一载片台上还包括位于所述上管MOSFET覆盖区域外的第三区域，所述第三区域邻近所述第二区域；第一陶瓷覆铜板设置在所述铜片夹扣上；第二陶瓷覆铜板设置在所述第三区域；所述上管MOSFET的栅极衬垫和所述第二陶瓷覆铜板电连接，所述第二陶瓷覆铜板作为引出所述上管MOSFET的栅极衬垫的第一引出引脚；所述驱动芯片叠加在所述上管MOSFET的所述第二区域上；所述驱动芯片同时和所述第一引出引脚、对应的所述框架引脚电连接；环氧塑封料包封所述第一陶瓷覆铜板之外的正面区域，所述第一陶瓷覆铜板用于正面散热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通尚阳通集成电路有限公司 功率器件封装结构及封装方法