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申请/专利权人：西安工程大学
摘要：本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaNu‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaNu‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；采用退火技术，将上述氧化镓薄膜转变为不同Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜。本发明制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高、Eu浓度可调的单晶β‑氧化镓薄膜。
主权项：1.具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层以及n-GaNu-GaN周期性结构，在溶液中对n-GaNu-GaN周期性结构进行刻蚀，制备纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；步骤2、以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为新的衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；步骤3、设置退火工艺参数，将具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜转变为Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法
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