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申请/专利权人：科磊股份有限公司
摘要：本发明揭示一种图像传感器，其利用纯硼层及具有p型掺杂剂浓度梯度的第二外延层以增强感测DUV、VUV或EUV辐射。在第一外延层的上表面上制造感测电路元件及相关联金属互连件，接着在所述第一外延层的下表面上形成所述第二外延层，且接着在所述第二外延层上形成纯硼层。通过系统地增加在所述第二外延层的沉积生长期间使用的气体中的p型掺杂剂的浓度而产生所述p型掺杂剂浓度梯度，使得所述第二外延层的最低p型掺杂剂浓度紧邻于与所述第一外延层的界面而出现且使得所述第二外延层的最高p型掺杂剂浓度紧邻于与所述纯硼层的界面而出现。
主权项：1.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层的第一表面上形成电路元件；薄化所述衬底以产生经薄化衬底，所述经薄化衬底曝露所述第一外延层的所述第一表面的至少一表面部分；在所述第一外延层的第二表面的所述经曝露部分上形成第二外延层；及在所述第二外延层的下表面上形成纯硼层，其中形成所述第二外延层包含通过逐渐增加在所述第二外延层的形成期间使用的p型掺杂剂的浓度而在所述第二外延层中产生p型掺杂剂浓度梯度，使得所述第二外延层的第一中间层部分具有低于所述第二外延层的随后形成第二中间层部分的p型掺杂剂浓度，且所述第二外延层的最高p型掺杂剂浓度是邻近于所述纯硼层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 科磊股份有限公司 背照式传感器及制造传感器的方法
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