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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有钝化阻挡层的联合钝化背接触电池及其制作和应用，包括在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，第一半导体层和第二半导体层在厚度方向上的叠加部分形成交叠区，还包括在交叠区内设置在第一半导体层和第二半导体层之间的钝化阻挡层，钝化阻挡层与第二半导体层之间不设置掩膜层，且钝化阻挡层为非晶硅，钝化阻挡层与第一掺杂多晶硅层、隧穿氧化层的厚度之比为2‑8：60‑100：1。本发明能够保护隧穿氧化层避免受到腐蚀，从而协同增强钝化效果，提高电池转换效率和生产良率。
主权项：1.一种具有钝化阻挡层的联合钝化背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包含本征硅层和第二掺杂硅层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，第一半导体层和第二半导体层在厚度方向上的叠加部分形成交叠区，其特征在于，还包括在交叠区内设置在第一半导体层和第二半导体层之间的钝化阻挡层，钝化阻挡层与第二半导体层之间不设置掩膜层，且钝化阻挡层为非晶硅，钝化阻挡层的厚度为2-10nm；钝化阻挡层与第一掺杂多晶硅层、隧穿氧化层的厚度之比为2-8：60-100：1，隧穿氧化层的厚度为1.5-2.5nm，第一掺杂多晶硅层的厚度为50-150nm、有效掺杂浓度为5e19cm-3-5e20cm-3；本征硅层的厚度为5-15nm，第二掺杂硅层的厚度为8-15nm、有效掺杂浓度为5e19cm-3-5e20cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 具有钝化阻挡层的联合钝化背接触电池及其制作和应用
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