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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种测量晶圆表面金属含量的方法。所述方法包括步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X。根据本发明的测量晶圆表面金属含量的方法，可以准确量测晶圆表面的金属含量，避免晶圆表面金属浓度较低使稀释后的VPD测试液低于ICP‑MS设备的测试极限导致测量不准确的问题；经过稀释过程导致在ICP‑MS设备中进行测量的液体中的金属浓度更低进而降低ICP‑MS设备对低浓度晶圆的检测能力的问题。
主权项：1.一种测量晶圆表面金属含量的方法，其特征在于，适用于金属含量低于ICP-MS设备的检测限的晶圆，通过累积VPD测试液体积即金属浓度，以达到ICP-MS设备的检测限，包括：步骤S1：获取待检测的N个晶圆，其中N≥2；步骤S2：对所述N个晶圆中的每一个进行相同的VPD液滴扫测量步骤，共进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，获得体积为V的VPD测试液；步骤S3：检测所述体积为V的VPD测试液中的金属含量W，根据所述VPD测试液中的金属含量W获得所述N个晶圆中的每一个的表面的金属含量X；其中，所述步骤S2包括：步骤S21：采用体积为P的VPD液滴对所述N个晶圆依次进行N次所述VPD液滴扫测量步骤，以得到体积为P的经测试的VPD液滴；步骤S22：稀释所述体积为P的经测试的VPD液滴以形成所述体积为V的VPD测试液；或者，所述步骤S2包括：步骤S21：对所述N个晶圆中的每一个采用体积为P的VPD液滴进行所述VPD液滴扫测量步骤以分别获得N个体积为P的经测试的VPD液滴；步骤S22：收集所述N个体积为P的经测试的VPD以获得所述体积为V的VPD测试液，其中所述VPD测试液的体积V＝P×N。
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