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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种三维3D铁电随机存取存储器FeRAM及其制造方法。所述3DFeRAM包括：在衬底上在垂直方向上堆叠并且在第一水平方向上彼此间隔开的半导体图案；位线，在半导体图案的第一侧表面上，在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此间隔开；第一电极，在半导体图案的第二侧表面上，并且在垂直方向和第一水平方向两者上彼此间隔开；铁电层，在第一电极上；第二电极，在铁电层上，在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此间隔开；以及字线，在两个相邻的半导体图案之间并在垂直方向上延伸。
主权项：1.一种三维铁电随机存取存储器，包括：衬底；半导体图案，以其间具有绝缘层的多层结构在所述衬底上在垂直方向上堆叠，并且在第一水平方向上彼此间隔开；位线，在第二水平方向上在所述半导体图案的第一侧表面上，其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向，并且所述位线在所述第一水平方向上延伸并且在所述垂直方向上彼此间隔开；第一电极，在所述第二水平方向上在所述半导体图案的第二侧表面上，其中所述第一电极在所述垂直方向和所述第一水平方向两者上彼此间隔开；铁电层，在所述第二水平方向上在所述第一电极上，其中所述铁电层在所述第一水平方向上延伸；第二电极，在所述第二水平方向上在所述铁电层上，其中所述第二电极在所述第一水平方向上延伸并且在所述垂直方向上彼此间隔开；以及字线，在所述第一水平方向上在所述半导体图案中的两个相邻的半导体图案之间，其中所述字线在所述垂直方向上延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 三维铁电随机存取存储器及其制造方法
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