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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：制备分别包括具有金属焊盘和电介质层的键合层的第一衬底和第二衬底；对第一衬底和第二衬底中的每一个的键合层的表面执行平面化工艺；将湿法原子层蚀刻应用于键合层的表面，使得金属焊盘的表面凹进至目标深度；以及利用退火工艺将第一衬底的键合层键合至第二衬底的键合层。
主权项：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：制备第一衬底和第二衬底，其各自包括具有金属焊盘和电介质层的键合层；对所述第一衬底和所述第二衬底中的每一个的所述键合层的表面执行平面化工艺；将湿法原子层蚀刻应用于所述第一衬底和或所述第二衬底上的所述键合层的所述表面，使得所述金属焊盘的表面凹进至目标深度；以及利用退火工艺将所述第一衬底的所述键合层键合至所述第二衬底的所述键合层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 湿法原子层蚀刻方法及制造半导体装置的方法
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