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申请/专利权人：拉姆伯斯公司
摘要：一种DRAM设备的动态存储器阵列使用大于DRAM设备的大多数数字逻辑电路系统的操作即，开关电压的位线电压来操作。数字逻辑电路系统使用低于用于在DRAM阵列的位线上存储检索数据的电压的电源电压来操作。这样可以将较低电压摆幅以及从而将较低功率数字逻辑用于DRAM设备上的大多数非存储阵列逻辑，从而降低了非存储阵列逻辑的功耗，进而降低了整个DRAM设备的功耗。
主权项：1.一种动态随机存取存储器DRAM设备，包括：数字逻辑电路系统，在正常操作模式下至少处理列地址和行地址以检索存储在动态存储器阵列中的数据，所述数字逻辑电路系统在所述正常操作模式下使用第一数字逻辑电源电压电平进行操作；以及所述动态存储器阵列，在所述正常操作模式下使用大于所述第一数字逻辑电源电压电平的第二电压进行操作，所述动态存储器阵列包括耦合到位线的动态存储器单元；以及所述动态存储器阵列还包括耦合到所述位线的读出放大器电路，所述读出放大器电路在正常操作模式下接收具有对应于第一数字逻辑电源电压的第一电压的第一控制信号和具有第二电压的第二控制信号，所述读出放大器电路在所述正常操作模式下将所述第二电压施加到所述位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉姆伯斯公司 具有多个电压域的DRAM设备
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