龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：Si晶体有限责任公司
摘要：本发明涉及用于生长块状半导体单晶的系统和方法，更具体地，涉及用于基于物理气相传输生长诸如碳化硅的块状半导体单晶的系统和方法。升华系统包括具有纵向轴线212和沿纵向轴线212延伸的侧壁218的坩埚202，其中坩埚202包括用于至少一个晶种210的固定装置和用于容纳源材料208的至少一个源材料隔室204；以及加热系统，用于产生沿着坩埚202的纵向轴线212围绕坩埚202的圆周的温度场；隔热单元214，隔热单元214在坩埚202的侧壁218处布置在源材料隔室204内。
主权项：1.升华系统200，用于通过升华生长工艺生长半导体材料的至少一个单晶，所述升华系统200包括：坩埚202，所述坩埚202具有纵向轴线212和沿着所述纵向轴线212延伸的侧壁218，其中，所述坩埚202包括用于至少一个晶种210的固定装置和用于容纳源材料208的至少一个源材料隔室204；以及加热系统，所述加热系统用于产生沿着所述坩埚202的所述纵向轴线212围绕所述坩埚202的圆周的温度场；隔热单元214，所述隔热单元214在所述坩埚202的所述侧壁218处布置在所述源材料隔室204内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： Si晶体有限责任公司 生长半导体材料的至少一个单晶的升华系统和方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号