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申请/专利权人：大连恒坤新材料有限公司
摘要：本发明属于半导体领域，具体涉及一种氧化铪薄膜及其制备方法和应用。所述氧化铪薄膜的制备方法包括以下步骤：将四氯化铪与环戊二烯在有机溶剂和助剂存在的条件下进行配位反应，再通过种子诱导结晶法得到环戊二烯三氯化铪；加入二甲胺进行取代反应，再通过真空蒸馏结晶得到环戊二烯三二甲胺基铪；将环戊二烯三二甲胺基铪引入到PE‑MOCVD设备的反应室中，在沉积温度下与等离子气体进行金属有机化学气相沉积，使得环戊二烯三二甲胺基铪前驱体在基底表面上生成氧化铪薄膜；所述助剂为强碱弱酸盐。采用本发明提供的制备方法能够得到高纯度、高产率和高介电常数的氧化铪薄膜。
主权项：1.一种氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：S1.将四氯化铪与环戊二烯在有机溶剂和助剂存在的条件下进行配位反应，再通过种子诱导结晶法得到环戊二烯三氯化铪；S2.将步骤S1制备得到的环戊二烯三氯化铪与二甲胺进行取代反应，再通过真空蒸馏结晶得到环戊二烯三二甲胺基铪；S3.将步骤S2制备得到的环戊二烯三二甲胺基铪作为前驱体引入到PE-MOCVD设备的反应室中，在沉积温度下与等离子气体进行金属有机化学气相沉积，使得环戊二烯三二甲胺基铪前驱体在基底表面上生成氧化铪薄膜；所述助剂为强碱弱酸盐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连恒坤新材料有限公司 一种氧化铪薄膜及其制备方法和应用
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