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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种埋沟式U槽碳化硅vdmosfet结构，包括由多个MOS元胞相互并列构成的VDMOSFET结构，所述VDMOSFET结构包括漏极、金属源极以及栅极；所述栅极的截面呈‘凸’字形状，每一个所述MOS元胞的内部均嵌设有栅极，且各个栅极呈并联连接；单个所述MOS元胞的内部包括沉底层、扩散层、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层之间通过P阱层阻隔；所述N阱层包括重掺杂N阱一、重掺杂N阱二以及低掺杂N阱一，其中重掺杂N阱一、重掺杂N阱二均与金属源极欧姆短接。本发明将重掺杂N阱一设计在U槽的外侧，并且由于重掺杂N阱一靠近栅极位置处，这就使得重掺杂N阱一具备弱电场，该弱电场可以吸引电荷在N阱层内高效的移动，减少N阱层内出现电荷寄生的现象。
主权项：1.一种埋沟式U槽碳化硅vdmosfet结构，其特征在于，包括由多个MOS元胞相互并列构成的VDMOSFET结构，所述VDMOSFET结构包括漏极1、金属源极4以及栅极5；所述栅极5的截面呈‘凸’字形状，每一个所述MOS元胞的内部均嵌设有栅极5，且各个栅极5呈并联连接；单个所述MOS元胞的内部包括沉底层2、扩散层3、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层3之间通过P阱层阻隔；所述N阱层包括重掺杂N阱一8、重掺杂N阱二9以及低掺杂N阱一10，其中重掺杂N阱一8、重掺杂N阱二9均与金属源极4欧姆短接；所述P阱层包括重掺杂P阱一11、低重掺杂P阱一12、低重掺杂P阱二13、重掺杂P阱二14、低掺杂P阱三15以及低掺杂P阱四16；其中，所述栅极5接入栅极电压状态下，其栅极电场吸引低掺杂P阱四16内部电荷移动，并集中在栅极5附近形成电荷沟道17。
全文数据：
权利要求：
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