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申请/专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
摘要：本发明适用于耦合及射频模组芯片领域，尤其涉及一种双向耦合器及射频模组，所述双向耦合器为多个金属层堆叠形成的层结构，根据层叠顺序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层，所述第三金属层通过延长走线连接至所述第五金属层，所述第三金属层利用所述延长走线使所述第五金属层成为相互电连接的异层结构，实现所述第三金属层的同层耦合，以提高所述双向耦合器的耦合系数。本发明通过多金属层堆叠且同层耦合的结构实现了双向耦合器在目标频段内方向性的性能的提高。
主权项：1.一种双向耦合器，其特征在于，所述双向耦合器为多个金属层堆叠形成的层结构，根据层叠顺序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层，所述第三金属层设置有所述双向耦合器的耦合端口和隔离端口，所述第四金属层为用于实现所述第三金属层和所述第五金属层电连接的通孔金属，所述耦合端口和所述隔离端口分别设置有延伸自所述第三金属层的传输通路区域的延长走线，所述延长走线的末端设置有通孔，所述延长走线通过所述第四金属层连接所述通孔、并电连接至所述第五金属层，所述第三金属层利用所述延长走线使所述第五金属层成为相互电连接的异层结构，实现所述第三金属层的同层耦合，以提高所述双向耦合器的耦合系数；所述第一金属层为铝金属层，所述第二金属层为第一通孔金属层，所述第三金属层为Metal4金属层，所述第四金属层为第二通孔金属层，所述第五金属层为Metal3金属层，Metal4、Metal3为半导体封装的版图层次；所述第三金属层与所述第五金属层在所述双向耦合器中多个金属层的堆叠方向上具有不接触的耦合区域，所述耦合区域的大小用于调整所述耦合系数的大小。
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百度查询： 深圳飞骧科技股份有限公司 双向耦合器及射频模组
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