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申请/专利权人：安普林荷兰有限公司
摘要：本发明涉及一种放大器以及包括该放大器的多赫蒂放大器。根据本发明，放大器包括一个或多个放大器单元，其中，每个放大器单元包括集成在有源半导体管芯上的FET。FET的漏极连接到电感，电感又连接到接地的电容。电容集成在有源半导体管芯上，电感配置成与FET的输出电容谐振。放大器还包括连接在FET的输入和输出处的串联LC谐振网络。根据本发明，这些谐振网络的电容集成在无源半导体管芯上，该无源半导体管芯布置在有源半导体管芯和输入端子之间。
主权项：1.一种放大器100；200，包括：封装101，所述封装具有衬底102；以及至少一个放大器单元，所述至少一个放大器单元布置在所述封装101中，每个放大器单元包括：输入端子110A和输出端子110B；有源半导体管芯111，大功率晶体管例如场效应晶体管FET112集成在所述有源半导体管芯上，所述有源半导体管芯111安装在所述衬底102上并具有第一边缘E1和第二边缘E2，所述第一边缘布置在所述大功率晶体管112和所述输入端子110A之间，所述第二边缘布置在所述大功率晶体管112和所述输出端子110B之间；输入匹配电容Cin和输出匹配电容Cout；第三电感L3，所述第三电感将所述大功率晶体管112的输出连接到所述输出匹配电容Cout；第四电感L4，所述第四电感将所述大功率晶体管112的输入连接到所述输入匹配电容Cin；输出谐振网络，所述输出谐振网络包括第一电感L1和第一电容C1的串联连接，并通过所述第三电感L3连接在地和所述大功率晶体管的输出之间，其中，每个放大器单元包括至少一个无源半导体管芯120，所述至少一个无源半导体管芯安装在所述衬底102上、位于所述有源半导体管芯111和所述输入端子110A之间，其中，所述输入匹配电容Cin和所述第一电容C1集成在所述至少一个无源半导体管芯120上，并且其中，所述输出匹配电容Cout集成在所述有源半导体管芯111上、相比所述第二边缘E2更靠近所述第一边缘E1。
全文数据：
权利要求：
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