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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明涉及一种机器人砂带磨抛三维摆线轨迹规划及材料去除均匀性调控方法，包括以下步骤：获取待抛光工件的三维模型，选取抛光区域，并设置相关的抛光工艺参数；计算抛光区域，将抛光曲面从三维映射转换到二维参数域中，生成二维参数网格模型；从二维参数网格模型中，提取出抛光曲面的中轴线，并沿中轴线生成平面变半径摆线轨迹；将平面变半径摆线轨迹，逆映射回待抛光工件三维模型中，得到初始步距的三维变半径自适应摆线轨迹；建立接触模型，对接触模型进行模拟磨抛过程，计算磨抛材料去除量；定量评估磨抛材料去除在整张曲面分布的均匀性，迭代优化三维变半径自适应摆线轨迹的步距值；后置处理获得材料去除均匀的三维摆线抛光轨迹。
主权项：1.一种机器人砂带磨抛三维摆线轨迹规划及材料去除均匀性调控方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将待抛光工件的模型数据导入CAM软件中，获取待抛光工件的三维模型，选取抛光区域，并设置相关的抛光工艺参数；步骤2：根据共形几何理论计算步骤1所选取的抛光区域，将抛光曲面从三维映射转换到二维参数域中，生成二维参数网格模型；步骤3：从步骤2生成的二维参数网格模型中，提取出抛光曲面在二维参数域中的中轴线，并沿中轴线生成平面变半径摆线轨迹；步骤4：将步骤3生成的平面变半径摆线轨迹，逆映射回待抛光工件三维模型所选取的抛光区域中，得到初始步距的三维变半径自适应摆线轨迹；步骤5：建立接触模型，基于步骤4得到的初始步距的三维变半径自适应摆线轨迹，对接触模型进行模拟磨抛过程，计算磨抛材料去除量；步骤6：定量评估磨抛材料去除在整张曲面分布的均匀性，根据步骤5计算的磨抛材料去除量，迭代优化三维变半径自适应摆线轨迹的步距值，使得轨迹分布均匀；步骤7：后置处理获得材料去除均匀的三维摆线轨迹。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种机器人砂带磨抛三维摆线轨迹规划及材料去除均匀性调控方法
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