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申请/专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及DCB基板烧结技术领域。一种用于铜片低温预氧化的工艺方法，采用厢式炉作为氧化设备，将铜片依次途径十一个炉腔进行铜片预氧化；十一个炉腔沿着铜片的途径先后次序分别为第一炉腔、第二炉腔、第三炉腔、第四炉腔、第五炉腔、第六炉腔、第七炉腔、第八炉腔、第九炉腔、第十炉腔、第十一炉腔；第一炉腔的温度设置为280°，第十一炉腔的温度设置为280°，其余的九个炉腔的温度设置为300°；第五炉腔、第六炉腔以及第七炉腔内通入流量为85～90mlmin的空气。将铜片预氧化炉工作温度由770℃高温降为300℃，可将预氧化炉膛使用寿命由2年提高到5年，传送带寿命由3年提高到6年，降低了生产成本。
主权项：1.一种用于铜片低温预氧化的工艺方法，其特征在于，采用厢式炉作为氧化设备，将铜片依次途径十一个炉腔进行铜片预氧化；十一个炉腔沿着所述铜片的途径先后次序分别为第一炉腔、第二炉腔、第三炉腔、第四炉腔、第五炉腔、第六炉腔、第七炉腔、第八炉腔、第九炉腔、第十炉腔、第十一炉腔；第一炉腔的温度设置为280°，第十一炉腔的温度设置为280°，其余的九个炉腔的温度设置为300°；第五炉腔、第六炉腔以及第七炉腔内通入流量为85～90mlmin的空气。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海富乐华半导体科技有限公司 一种用于铜片低温预氧化的工艺方法
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