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申请/专利权人：天津巴莫科技有限责任公司
摘要：本申请涉及一种高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用。本申请的高熵掺杂正极材料，包括化学式为LiNixCoyMnzBaMbO2的材料，其中，0.80≤x＜0.98，0＜y＜0.2，0＜z＜0.2，a＞0，b＞0，a≥b，x+y+z+a+b=1，M包括Al、Zr、Sr、Sn、Sb、Si、Ba、Y、W、Ta、Ti、Mo、Nb、La、Ta和Ce中至少四种。本申请的高熵掺杂正极材料能够同时具有较高的比容量以及循环稳定性。
主权项：1.一种高熵掺杂正极材料，其特征在于，包括化学式为LiNixCoyMnzBaMbO2的材料，其中，0.80≤x＜0.98，0＜y＜0.2，0＜z＜0.2，a＞0，b＞0，a≥b，x+y+z+a+b=1，M包括Al、Zr、Sr、Sn、Sb、Si、Ba、Y、W、Ta、Ti、Mo、Nb、La、Ta和Ce中至少四种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津巴莫科技有限责任公司 高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用
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