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申请/专利权人：上海交通大学;武汉恩睿捷光电技术有限公司
摘要：一种基于纳米压印的硅光亚波长光栅制备方法，采用电子束曝光、电感耦合反应离子刻蚀技术制成压印模板后，将经抗粘处理的压印模板进行纳米压印得到反相凹模，再在旋涂有压印胶的基底上采用反相凹模进行压印，经紫外固化、脱模和去残胶后得到与硅光亚波长光栅。本发明通过压印最小可以达到45nm的线宽的同时，有效避免压印脱模时脱胶，图像形貌受损情况，进而保证母版的图像全部转移到衬底。
主权项：1.一种基于纳米压印的硅光亚波长光栅制备方法，其特征在于，采用电子束曝光、电感耦合反应离子刻蚀技术制成压印模板后，将经抗粘处理的压印模板进行纳米压印得到反相凹模，再在旋涂有压印胶的基底上采用反相凹模进行压印，经紫外固化、脱模和去残胶后得到与硅光亚波长光栅。
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百度查询： 上海交通大学 武汉恩睿捷光电技术有限公司 基于纳米压印的硅光亚波长光栅制备方法
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