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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，提供一种硅晶片表面阴阳离子收集装置及收集分析系统。硅晶片表面阴阳离子收集装置包括：分离器和收集模块；所述分离器内设有分离腔，所述分离腔用于容置硅晶片，且在对所述分离腔内加入分离液时将硅晶片表面的阴阳离子分离；所述收集模块包括收集器，所述收集器与所述分离腔的出液口连接。本实用新型提供的硅晶片表面阴阳离子收集装置，解决了现有技术中采用浸泡Pod、Cassette等容器治具，间接反应阴阳离子沾污风险时精度较低的缺陷，提升分析精度。
主权项：1.一种硅晶片表面阴阳离子收集装置，其特征在于，包括：分离器和收集模块；所述分离器内设有分离腔，所述分离腔用于容置硅晶片，且在对所述分离腔内加入分离液时将硅晶片表面的阴阳离子分离；所述收集模块包括收集器，所述收集器与所述分离腔的出液口连接。
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