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申请/专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
摘要：本发明提供一种大尺寸无孪晶铜单晶晶圆的制备方法，通过采用高功率循环磁控溅射的方法，在蓝宝石单晶晶圆衬底上沉积的111取向的初始铜织构中引入一定量的多晶结构，从而实现大尺寸无孪晶Cu111单晶晶圆衬底的可控制备。对于以石墨烯为代表的二维纳米材料来说，无孪晶Cu111单晶晶圆是良好的外延衬底，可以实现二维纳米材料的取向一致成核与无缝拼接，最终得到大面积的单晶薄膜。本方法对于探究铜薄膜的单晶化机理，推动晶圆级二维纳米材料单晶的可控制备来说具有重要的意义。
主权项：1.一种大尺寸无孪晶Cu111单晶晶圆的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、将蓝宝石单晶晶圆进行退火，降温取出后，放入磁控溅射腔室；S2、采用磁控溅射的方法，在蓝宝石晶圆表面沉积铜薄膜，得到铜薄膜蓝宝石晶圆；所述沉积过程包括多次磁控溅射步骤，两次磁控溅射中间设置有冷却步骤；S3、将磁控溅射好的铜薄膜蓝宝石晶圆放置于化学气相沉积CVD系统中进行退火；S4、退火结束后，降低管式炉的温度至室温，取样后即可得到所述大尺寸无孪晶Cu111单晶晶圆。
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