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申请/专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
摘要：本发明公开一种基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法。利用全球电离层图GIM获得的垂直总电子含量VTEC和干涉图地理坐标信息进行计算，得到电离层延迟相位。该方法首先，根据GIM获得VTEC的分布；其次，根据干涉图地理信息进行空间、时间分布计算，通过三维插值获得雷达视线方向信号穿透电离层的地理位置；最后，利用电离层延迟公式计算延迟相位，并在时间序列InSAR中进行电离层延迟校正。本发明可以快速、稳定、有效地去除干涉相位中的电离层延迟影响，提高InSAR对于形变监测的精度，对于快速的形变估计、灾害应急响应、超大尺度形变估计等具有重要的实际意义。
主权项：1.一种基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤101、利用全球电离层图GIM数据获取电离层的VTEC分布信息；其中，为垂直总电子数，为地表的经纬度坐标，为第个时间，，且为整数；步骤102、根据所得到的VTEC分布信息，进行空间、时间分布计算，获取雷达视线方向穿透电离层的地理位置，并采用插值算法进行处理得到时刻的值；为第个时间，为雷达信号穿透电离层的经纬度坐标；步骤103、利用时刻的值并采用电离层延迟误差公式计算电离层延迟相位；步骤104、利用电离层延迟相位在时间序列InSAR中进行电离层延迟校正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院空天信息创新研究院 基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法
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