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申请/专利权人：辽宁师范大学
摘要：本发明公开一种电容器电极材料用镓掺杂氧化钴及生产方法，是在钴‑MOF衍生物结构中掺杂有金属镓，所述钴离子与镓离子的摩尔比为50‑90：1。Ga的掺杂为电容器电极材料提供了丰富的电化学反应活性位点，同时提高了材料的电导率，加速离子迁移和电子传输速率，其比容量、阻抗、能量密度值等均表现良好，循环稳定性高，为法拉第反应中消耗的电子提供能量，有效地提高了电化学性能。
主权项：1.一种电容器电极材料用镓掺杂氧化钴，其特征在于：在钴-MOF衍生的多孔结构中掺杂有金属镓，所述钴离子与镓离子的摩尔比为50-90：1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 辽宁师范大学 电容器电极材料用镓掺杂氧化钴及生产方法
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