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申请/专利权人：厦门未来显示技术研究院有限公司
摘要：本申请公开了一种MicroLED芯片及其制作方法，通过在衬底的第一表面依次沉积缓冲层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，并将所述非导电DBR反射结构设置于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述非导电DBR反射结构的厚度不小于所述第一电极或所述第二电极的厚度；其中，所述第一导电通道贯穿所述保护层、所述反射结构、所述第二型导电层和所述有源区与所述第一型导电层形成电连接；所述第二导电通道贯穿所述保护层和所述反射结构与所述第二型导电层形成电连接。应用本发明提供的技术方案，可有效避免芯片制作过程中的发光面积的损耗，有效提高MicroLED芯片的发光效率。
主权项：1.一种MicroLED芯片，其特征在于，所述MicroLED芯片包括：衬底，所述衬底具有第一表面；设置在所述第一表面的外延发光结构，所述外延发光结构包括在所述第一表面依次沉积的缓冲层、第一型导电层、有源区和第二型导电层；设置在所述第二型导电层背离所述有源区一侧表面的反射结构；设置在所述反射结构背离所述第二型导电层一侧表面的保护层；设置在所述保护层背离所述反射结构一侧表面的第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，所述非导电DBR反射结构位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述非导电DBR反射结构的厚度不小于所述第一电极或所述第二电极的厚度；其中，所述保护层具有第一导电通道和第二导电通道，所述第一导电通道贯穿所述保护层、所述反射结构、所述第二型导电层和所述有源区，所述第一电极通过所述第一导电通道与所述第一型导电层形成电连接；所述第二导电通道贯穿所述保护层和所述反射结构，所述第二电极通过所述第二导电通道与所述第二型导电层形成电连接；所述反射结构的纵横比小于3：1；所述MicroLED芯片还包括设置在所述第一导电通道内侧壁上的绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门未来显示技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片及其制作方法
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