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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种β相氧化碲纳米片材料的制备方法，属于新型电子材料领域。制法包括：将碲粉平铺放入石英舟的一端，然后取清洁的硅基板覆盖在碲粉上方但不与碲粉接触，将石英舟送入高温真空退火炉的中心，通入氧气，在氧气气氛下，于460～500℃、0.05～0.15Mpa的条件下反应，结束后冷却至室温，在硅基板上获得白色产物，即为β相氧化碲纳米片材料。与现有技术相比，本发明制备方法简单、成本低廉，制备的β相氧化碲纳米片材料纳米形貌良好，与衬底结合牢固度且稳定性强，在未来的透明电子、光电器件和节能显示器的发展中具有很好应用前景。
主权项：1.一种β相氧化碲纳米片材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1将碲粉平铺放入石英舟的一端，然后取清洁的硅基板覆盖在碲粉上方但不与碲粉接触；2将石英舟送入高温真空退火炉的中心，通入氧气，在氧气气氛下，于460～500℃、0.05～0.15Mpa的条件下反应，结束后冷却至室温，在硅基板上获得白色产物，即为β相氧化碲纳米片材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种β相氧化碲纳米片材料的制备方法
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