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申请/专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
摘要：公开了一种半导体元件，该半导体元件包括半导体部分、在半导体部分上的非导电层、由第一材料形成并且至少部分地嵌入非导电层中的上导电层、在上导电层下方并且电连接至上导电层的下导电层、以及被设置在上导电层与下导电层之间的阻挡层。该阻挡层由不同于第一材料的第二材料形成，并且该第二材料具有在20℃处小于30×10‑8mΩ的电阻率以及大于1200℃的熔点。
主权项：1.一种半导体元件，包括：半导体部分；非导电层，在所述半导体部分上；上导电层，至少部分地嵌入所述非导电层的腔中，所述上导电层由第一材料形成；下导电层，在所述上导电层下方并且电连接至所述上导电层；以及阻挡层，被设置在所述上导电层与所述下导电层之间，所述阻挡层在横向上宽于所述腔，所述阻挡层由不同于所述第一材料的第二材料形成，所述第二材料具有在20℃处小于50×10-8mΩ的电阻率以及大于1200℃的熔点。
全文数据：
权利要求：
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