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申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种集成耗尽型和增强型的半导体器件及其制作方法,半导体器件包括外延层，在外延层形成位于高压增强型晶体管区域的第一P型帽层和第一源漏极垫、位于低压增强型晶体管区域的第二P型帽层和第二源漏极垫、以及位于耗尽型晶体管区域的第三源漏极垫，外延层内形成隔离结构；还包括设置在第一P型帽层上的第一栅极金属层、设置在第二P型帽层上的第二栅极金属层和设置在耗尽型晶体管区域的外延层的第三栅极金属层；第一互连金属层；绝缘层，形成在第一互连金属层上；第二互连金属层，设置在绝缘层上，第二互连金属层与第一互连金属层接触。本申请在未大幅增加工艺步骤的前提下将不同电压等级、开关形式器件集中并一次实现制作。
主权项：1.一种集成耗尽型和增强型的半导体器件，其特征在于，包括：在衬底（10）上外延生长的外延层（20），在所述外延层（20）的正面上形成位于高压增强型晶体管区域的第一P型帽层（30）和第一源漏极垫（31）、位于低压增强型晶体管区域的第二P型帽层（32）和第二源漏极垫（33）、以及位于耗尽型晶体管区域的第三源漏极垫（34），所述外延层（20）内注入离子形成隔离结构（50），所述隔离结构（50）用于将高压增强型晶体管区域、低压增强型晶体管区域以及耗尽型晶体管区域隔离；金属层，包括设置在所述第一P型帽层（30）上的第一栅极金属层（60）、设置在所述第二P型帽层（32）上的第二栅极金属层（61），以及设置在所述耗尽型晶体管区域的外延层（20）上的第三栅极金属层（62）；第一互连金属层（80），分别设置在第一源漏极垫（31）、第二源漏极垫（33）以及第三源漏极垫（34）上；绝缘层（81），形成在所述第一互连金属层（80）上；第二互连金属层（83），设置在所述绝缘层（81）上，所述第二互连金属层（83）与所述第一互连金属层（80）接触以依次电连接第一源漏极垫（31）、第二源漏极垫（33）以及第三源漏极垫（34）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 集成耗尽型和增强型的半导体器件及其制作方法
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