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申请/专利权人:江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要:本发明涉及半导体领域,具体是一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。本发明通过对氮化铝陶瓷进行碱处理,加速老化处理,使其表层氢氧化铝水解转化为均匀氧化铝薄膜层。再进行氮化烧结,在氮化铝陶瓷表面形成氮氧化铝层。再将处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模具中,经浇注烧结得到高可靠性氮化铝覆铝基板。该方法制备的高可靠性氮化铝覆铝基板具有可靠性强、热阻低、耐热性好、增强陶瓷强度、满足封装散热需求的优点。
主权项:1.一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:将氮化铝陶瓷3放置于浓度为1-3gL的氢氧化钠溶液中,超声清洗后取出后放置于98-100%湿度下、120-140℃老化96-120h,反应结束后经纯水水洗、烘干,得到预处理氮化铝陶瓷;步骤二:在氮气环境下,将预处理氮化铝陶瓷进行氮化烧结,烧结结束后随炉冷却,在表面形成氮氧化铝层2;氮化烧结工艺参数:温度为1500-1800℃,时间为60-120min,气体压力为1-5MPa;步骤三:将步骤二处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模具中,在模具浇注口上端放置高纯铝块,装夹完成后660-950℃浇注烧结60-120min,烧结结束后随炉冷却,在表面形成金属铝层1,再经脱模、切割研磨、修板,制备得到高可靠性氮化铝覆铝基板。
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