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三脚架形氧化铟锡纳米颗粒透明导电膜的制备工艺 

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申请/专利权人:浙江固微科技有限公司

摘要:本发明公开了一种三脚架形氧化铟锡纳米颗粒透明导电膜的制备工艺,以ITO体块材料为前驱体,选择适当的操作参数,通过磁控等离子体气体聚集团簇源,利用气相聚集过程中独特的成核生长环境,在等离子体环境中形成三脚架形ITO纳米颗粒,并通过差分真空系统,使所形成的纳米颗粒在高真空下沉积在基片上,从而形成ITO纳米颗粒密排构成的透明导电薄膜。本发明提出了通过气相沉积过程制备三脚架形ITO纳米颗粒组装成的透明导电膜的工艺,此工艺可应用于柔性基板上制备ITO纳米颗粒透明导电薄膜的工艺流程中,实现柔性透明电极的加工,具有工艺简单、快速稳定、可控性好、效率高、易于规模化等特点。

主权项:1.一种三脚架形氧化铟锡纳米颗粒透明导电膜的制备工艺,其特征在于:该制备工艺的具体步骤如下:在磁控等离子体气体聚集团簇束流沉积系统中,通过充气管(8)在冷凝腔(3)中通入高纯度的惰性气体作为溅射气体和缓冲气体,通过对冷凝腔(3)中安装于溅射靶头(1)上的ITO靶材(2)进行直流磁控溅射,产生ITO分子离子构成的高浓度等离子体;ITO分子离子在缓冲气体中成核生长,形成ITO纳米粒子,并在缓冲气体气流的携带下从喷嘴(5)喷出到一级差分腔(4),经一号分子泵(9)和二号分子泵(10)组合抽气构成的差分充气系统进入高真空沉积腔(6),形成纳米粒子束流,然后沉积到安装于衬底座上的基片(7)表面;控制沉积时间,使基片表面的ITO纳米颗粒达到预定的沉积量,完成沉积;然后对所沉积的ITO纳米颗粒薄膜加热退火,最终形成由三脚架形ITO纳米颗粒构成的透明导电薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江固微科技有限公司 三脚架形氧化铟锡纳米颗粒透明导电膜的制备工艺

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