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申请/专利权人：韩华精密机械株式会社
摘要：本发明的基板处理装置，可以包括：基板，形成有段差；以及，腔室，在内部对基板进行处理；段差可以被膜沉积填充，还可以供应用于对膜的生长速度进行调节的抑制剂。本发明的基板处理方法，可以包括：在基板上生成内部形成有屈曲的段差的段差步骤；在段差中通过原子膜沉积ALD，AtomicLayerDeposition或等离子体强化原子层沉积PEALD，PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition方式沉积膜的沉积步骤；以及，供应对膜的生长速度进行调节的抑制剂的抑制剂步骤。
主权项：1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：基板，形成段差；以及，腔室，在内部对所述基板进行处理；所述段差被膜沉积填充，供应对所述膜的生长速度进行调节的抑制剂，其中，所述段差包括段差的开放上部、段差的侧部以及段差的封闭下部，在所述段差的侧部发生屈曲，在假定所述段差的上部为第一区域，所述段差的侧部中形成屈曲的区域为第二区域，所述段差的侧部中没有形成屈曲的区域为第三区域，所述段差的下部为第四区域时，裸露在所述抑制剂中的程度从高到低依次为第一区域、第三区域、第四区域以及第二区域，所述抑制剂包括第一抑制剂以及第二抑制剂，在所述段差被所述膜填充时，在相对于所述第一抑制剂的第二抑制剂的比例达到填充混合比以上时，不会因为所述屈曲而发生空隙或接缝，在所述段差的高度与宽度的比例即纵横比为50比1时，所述填充混合比为10.67。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 韩华精密机械株式会社 对空隙或接缝的发生进行抑制的基板处理装置以及方法
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