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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明涉及一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法，该偏振光探测器以第一导电类型的二维纳米片沟道层结合第二导电类型的具有各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层搭建异质结结构，设置第一电极和第二电极分别位于偏振光敏化半导体层的两端侧与纳米片沟道层的表面接触，不与偏振光敏化半导体层接触，实现了可见光至红外波长范围内低噪声、高灵敏的近红外探测；另外其沟道层和偏振光敏化半导体层采用机械剥离法获得，并采用PVAPDMS辅助干法转移技术将其两层层叠获得器件结构，该制备过程简单，技术成熟，设备易得，成本低廉，非常有利于商业化推广。
主权项：1.一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器，其特征在于，包括：采用机械剥离法获得的第一导电类型的二维纳米片沟道层，该纳米片沟道层选用过渡金属硫属化物（TMDs）；采用机械剥离法获得的第二导电类型的各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层，位于所述纳米片沟道层的表面，所述偏振光敏化半导体层选用Bi2O2Se、1T-MoTe2、ReSe2、ReS2、P、As、AsP、GeAs中的一种；所述第一导电类型的二维纳米片沟道层和所述第二导电类型的各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层构成异质结；第一电极和第二电极，分别位于所述偏振光敏化半导体层的两端侧，与所述纳米片沟道层的表面接触，不与所述偏振光敏化半导体层接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法
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