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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：本发明公开了存储器芯片中的升压转换器。包括片内升压转换器的非易失性存储器包括：第一存储器结构，限定设置在第一基板上的控制电路，以及邻近控制电路设置的第一金属层，其中第一金属层耦接控制电路的元件；以及第二存储器结构，该第二存储器结构限定设置在第二基板上的存储器阵列，以及邻近存储器阵列设置的第二金属层，其中第一金属层和第二金属层通过在第一金属层和第二金属层之间形成的永久性物理键合而键合在一起；以及升压转换器，该升压转换器限定设置在第一金属层和第二金属层中的电感器，以及设置在控制电路中的晶体管电路。非易失性存储器，其中电感器还限定耦接到电压源的第一端子和通过晶体管电路耦接到负载的第二端子。
主权项：1.一种包括片内升压转换器的非易失性存储器，包括：第一存储器结构，所述第一存储器结构限定设置在第一基板上的控制电路，以及邻近所述控制电路设置的第一金属层，其中所述第一金属层耦接所述控制电路的元件；和第二存储器结构，所述第二存储器结构限定设置在第二基板上的存储器阵列，以及邻近所述存储器阵列设置的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层通过在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成的永久性物理键合而键合在一起；和升压转换器，所述升压转换器限定设置在所述第一金属层和所述第二金属层两者中的电感器，以及设置在所述控制电路中的晶体管电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 存储器芯片中的升压转换器
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