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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文描述的实施方式一般是涉及利用高射频RF功率来处理基板的设备和方法。高射频功率能够以更理想的性质将膜沉积在基板上。多个第一绝缘构件设置在多个拖架上，并且从腔室主体侧向朝内延伸。多个第二绝缘构件设置在腔室主体上，并且从多个第一绝缘构件延伸到腔室主体的支撑表面。绝缘构件减少了等离子体与腔室主体之间的电弧的发生。
主权项：1.一种设备，包括：腔室主体，限定处理空间，所述腔室主体具有形成在其中的支撑表面和面向内表面；盖子，耦接至所述腔室主体；喷头，设置在所述处理空间内；多个拖架，耦接至所述腔室主体，并从所述腔室主体侧向朝内延伸；支撑基座，相对于所述喷头设置于所述处理空间内；多个第一电绝缘构件，设置于所述多个拖架上，并从所述腔室主体侧向朝内延伸；和多个第二电绝缘构件，设置于所述腔室主体上，所述多个第二电绝缘构件中的每个绝缘构件从所述多个第一电绝缘构件中的一个并沿着所述腔室主体的面向内表面延伸至所述腔室主体的所述面向内表面与所述腔室主体的所述支撑表面的交点，其中所述多个拖架和所述多个第一电绝缘构件包括不同的材料，并且所述支撑基座的基板支撑表面可定位在所述多个拖架的上方和下方，其中所述多个第二电绝缘构件是经由一个或多个陶瓷紧固件耦接至所述腔室主体。
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