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申请/专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的自适应仿生神经元电路及利用该电路实现仿生神经元自适应模拟地方法，激励脉冲和电容C1形成第一充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C1构成第一反向充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C2构成第二反向充电回路；易失性忆阻器M2、恒定电压源V2以及电容C2构成第二充电回路。利用电容充电行为使得易失性忆阻器发生阈值转变行为，加以恒定电压源的持续输出，实现神经元产生动作电位的基本功能，在激励脉冲的工作过程中，易失性忆阻器的阈值电压逐渐发生变化，实现了在恒定激励下与生物神经元相似的多模式动作电位发放以及放电频率的变化，即实现神经元自适应能力。
主权项：1.一种基于忆阻器的自适应仿生神经元电路，其特征在于，包括易失性忆阻器M1、易失性忆阻器M2、恒定电压源V1、恒定电压源V2、电容C1、电容C2和电阻R1，其中，易失性忆阻器M1和易失性忆阻器M2的阈值电压可调，且，电容C1的两端用于接收激励脉冲；易失性忆阻器M1的负端与恒定电压源V1的负极相连，易失性忆阻器M1的正端连接至电容C1的第一端，恒定电压源V1的正极连接至电容C1的第二端；易失性忆阻器M2的正端与恒定电压源V2的正极相连，易失性忆阻器M2的负端连接至电容C2的第一端，恒定电压源V2的负极连接至电容C2的第二端；电容C2的第一端通过电阻R1与电容C1的第一端相连，电容C2的第二端与电容C1的第二端相连，以电容C2的两端作为电路输出端产生动作电位。
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百度查询： 华中科技大学 湖北江城实验室 自适应仿生神经元电路及仿生神经元自适应模拟方法
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