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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。
主权项：1.一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体，其中，第二等离子体产生器包括：正弦波产生器，被构造成产生正弦波信号，以向基座供应正弦波信号；非正弦波产生器，被构造成产生非正弦波信号，以向基座供应非正弦波信号；以及混合器，被构造成使分别从正弦波产生器和非正弦波产生器供应的正弦波信号和非正弦波信号混合，其中，第二等离子体产生器被构造为使得通过由混合器提供的信号产生的离子具有单峰离子能量分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法
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