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申请/专利权人：江南大学
摘要：本发明属于光电化学传感器领域，特别是一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器及其制造方法。一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器，其具体结构为，下至上层叠构建的铝Al背电极欧姆接触层、微纳加工处理的n型单晶硅n‑Si基底吸光层、表面金Au特异性层。本发明提出将微纳加工工艺以及物理生长法引入到光电化学传感器设计中，解决了传统化学型传感器重现性和稳定性差的问题，从而提升并拓宽了硅基光电化学传感器的应用前景。
主权项：1.一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器，其特征在于，包括：层叠的铝背电极欧姆接触层、微纳加工处理的n型单晶硅基底吸光层和表面金特异性层；所述微纳加工处理的n型单晶硅基底吸光层是通过光刻-干法刻蚀的微纳加工工艺构建的，所述n型单晶硅基底吸光层的硅基表面的微纳结构呈重现性良好、均匀排布的柱状阵列结构；所述柱状阵列结构的阵列倾角为30-90°；所述柱状阵列结构包括微米柱规则排列形成；所述微米柱的长度和直径的比值为5～10:1；所述微米柱的长度为25-200μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器及其制造方法
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