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申请/专利权人：深圳市威斯普科技有限公司

摘要：本发明涉及过压保护领域，具体涉及一种基于可控硅输入的过压保护装置，极大地提高了过压保护装置的可靠性。方案包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端L与零线端N之间，所述可控硅全桥模块由四个单向可控硅组成可控硅全桥电路，四个单向可控硅的控制端互相连接，火线端L连接在其中两个可控硅之间，零线端N连接在另外两个可控硅之间，耐受电压模块与可控硅全桥模块连接，分压模块分别与火线端L以及触发模块连接。本发明适用于过压保护。

主权项：1.基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端L与零线端N之间，所述可控硅全桥模块包括第一单向可控硅Q2、第二单向可控硅Q3、第三单向可控硅Q5以及第四单向可控硅Q6，第二单向可控硅Q3的阴极与第一单向可控硅Q2的阳极连接，第一单向可控硅Q2的阴极与第四单向可控硅Q6的阴极连接，第四单向可控硅Q6的阳极与第三单向可控硅Q5阴极连接，第三单向可控硅Q5阴极与第二单向可控硅Q3的阳极连接，第一单向可控硅Q2、第二单向可控硅Q3、第三单向可控硅Q5以及第四单向可控硅Q6的控制极相互连接，所述火线端L连接在第四单向可控硅Q6的阳极与第三单向可控硅Q5的阴极之间，所述零线端N连接在第一单向可控硅Q2的阳极与第二单向可控硅Q3的阴极之间，耐受电压模块连接在第三单向可控硅Q5的阳极与第四单向可控硅Q6的阴极之间，第四单向可控硅Q6的阴极为电压输出端，分压模块分别与火线端L以及触发模块连接；所述触发模块包括稳压二极管ZD1、第一电阻R1、第三电阻R3、第八电阻R8、第十一电阻R11、第十六电阻R16、MOS管Q1以及三极管Q4，MOS管Q1的栅极通过第一电阻R1与稳压二极管ZD1的阳极连接，稳压二极管ZD1的阴极与分压模块连接，MOS管Q1的栅极还通过第三电阻R3接地，MOS管Q1的源级接地，MOS管Q1的漏极通过第八电阻R8与分压模块连接，MOS管Q1的漏极还与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的集电极通过第十一电阻R11接地，三极管Q4的发射极通过第十六电阻R16与分压模块连接；当输入电压达到设定值时，分压模块分压的电压达到稳压二极管ZD1的导通值，此时稳压二极管ZD1导通，导通后经过第一电阻R1、第三电阻R3分压，MOS管Q1导通，MOS管Q1导通后漏极与源级对地，三极管Q4导通，通过FB上下偏电阻分压触发第一单向可控硅Q2、第二单向可控硅Q3、第三单向可控硅Q5以及第四单向可控硅Q6关断A点到B点的输出，实现过压保护。

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