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一种液相辅助硒化反应方法及液相辅助硒化反应装置 

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申请/专利权人:中国科学院物理研究所

摘要:本发明提供了一种液相辅助硒化反应方法及液相辅助硒化反应装置。该液相辅助硒化反应方法包括如下步骤:将盛放有硒颗粒的硒蒸发容器和CZTS前驱体基片放置在同一腔室内且间隔开布置的不同温区处;对所述腔室进行抽真空处理,充入惰性气体,并进行预加热;将硒蒸发容器所在温区加热至400‑700℃,将CZTS前驱体基片所在温区加热至200‑450℃,以使硒蒸发容器内的硒蒸汽向CZTS前驱体基片所在温区移动时冷凝形成液态硒,并使液态硒沉积在CZTS前驱体基片的表面;将硒蒸发容器所在温区降温至200‑500℃,将CZTS前驱体基片所在温区升温至450‑700℃;停止对硒蒸发容器所在温区和CZTS前驱体基片所在温区加热,降至室温,得到CZTSSe薄膜。本发明方案提升CZTSSe薄膜的覆盖度、致密度以及缺陷性质。

主权项:1.一种液相辅助硒化反应方法,其特征在于,包括如下步骤:将盛放有硒颗粒的硒蒸发容器和CZTS前驱体基片放置在同一腔室内且间隔开布置的不同温区处;对所述腔室进行抽真空处理,充入惰性气体,并进行预加热;将所述硒蒸发容器所在温区加热至400-700℃,将所述CZTS前驱体基片所在温区加热至200-450℃,以使硒蒸发容器内的硒蒸汽向所述CZTS前驱体基片所在温区移动时冷凝形成液态硒,并使所述液态硒沉积在所述CZTS前驱体基片的表面;将所述硒蒸发容器所在温区降温至200-500℃,将所述CZTS前驱体基片所在温区升温至450-700℃;停止对所述硒蒸发容器所在温区和所述CZTS前驱体基片所在温区加热,降至室温,得到CZTSSe薄膜。

全文数据:

权利要求:

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