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申请/专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要：本发明涉及光电倍增管采样，具体涉及门控型光电倍增管高频采样探测方法，为解决现有技术中存在电子倍增极的电荷补充速度远小于电子倍增输出电子的速度，导致后续探测信号幅值下降或者无法输出，从而产生探测失真现象的不足之处，本发明对门控型光电倍增管施加窄脉冲宽度、高重复频率的门控选通脉冲，在门控选通脉冲的脉冲宽度内，光电阴极发射电子以及光电阴极与电子倍增器之间的电子均运动至电子倍增器进行电子倍增，使得阳极输出对应的探测脉冲。
主权项：1.一种门控型光电倍增管高频采样探测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，搭建门控型光电倍增管，所述光电倍增管包括依次设置的光电阴极1、电子倍增器3以及阳极4；S2，在门控型光电倍增管的光电阴极1施加电压Vc、电子倍增器3的起始电极处施加电压V1、电子倍增器3的最末电极处施加电压V2、阳极4通过取样电阻R接地；光电阴极1发射电子，使得光电阴极1与电子倍增器3之间的空间存在一定数量的电子；其中，Vc＞V1，ΔV＝Vc-V1；S3，对光电阴极1施加门控选通脉冲5，在门控选通脉冲5的脉冲宽度内，光电阴极1发射电子以及光电阴极1与电子倍增器3之间的电子均运动至电子倍增器3进行电子倍增；门控选通脉冲5的频率最高为200MHz，脉冲宽度Δt为1～20ns，脉冲幅值Vp满足以下关系：Vp＝-1×ΔV+Vd其中，Vc+Vp＜V1，丨Vc+Vp-V1丨＝Vd；S4，阳极4输出对应的探测脉冲。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院西安光学精密机械研究所 门控型光电倍增管高频采样探测方法
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