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一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器 

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申请/专利权人:西北工业大学深圳研究院

摘要:本申请涉及半导体器件技术,公开了一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器,包括:探测器主体、阳极和阴极;其中,阳极为设置在探测器主体顶面的圆形电极,且圆心位于顶面中心;阴极包括覆盖探测器主体底面的平面电极、包裹探测器主体侧面的侧面环电极和环绕阳极周围的环状电极;环状电极内环与阳极之间具有第一间距、环状电极外环与探测器主体顶面侧边之间具有第二间距,且环状电极与探测器主体顶面之间设有绝缘层;阳极施加的正偏压高于环状电极施加的正偏压;侧面环电极连接平面电极,并与平面电极接地。本申请旨在提出一种能提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器,并兼具高电荷收集能力。

主权项:1.一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器,其特征在于,包括:探测器主体、阳极和阴极;其中,阳极为设置在探测器主体顶面的圆形电极,且圆心位于顶面中心;阴极包括覆盖探测器主体底面的平面电极、包裹探测器主体侧面的侧面环电极和环绕阳极周围的环状电极;环状电极内环与阳极之间具有第一间距、环状电极外环与探测器主体顶面侧边之间具有第二间距,且环状电极与探测器主体顶面之间设有绝缘层;阳极施加的正偏压高于环状电极施加的正偏压;侧面环电极连接平面电极,并与平面电极接地。

全文数据:

权利要求:

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