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申请/专利权人：浙江日月光能科技有限公司
摘要：本发明涉及电池技术领域，具体为一种提高电池片耐UV衰减性能的电池片结构及其制备方法；包括单晶硅片，所述单晶硅片的底部依次设置有隧穿氧化层、第一掺杂层和第一减反射层，且单晶硅片的顶部依次设置有第二掺杂层、二氧化硅钝化层、氧化铝场钝化层和第一减反射层；本发明提供了四种新的增长氧化硅的工艺方式，即在烘干槽中增加臭氧气体，利用臭氧的强氧化性，在烘干过程中，于硅片表面二氧化硅钝化层，或加入双氧水，于硅片表面二氧化硅钝化层，或于湿氧环境下，使硅片表面形成二氧化硅钝化层，或于炉管内增加臭氧，于硅片表面二氧化硅钝化层，解决了TOPcon电池片UV衰减问题，提高电池片耐UV性能。
主权项：1.一种提高电池片耐UV衰减性能的电池片结构，其特征在于，包括单晶硅片（100），所述单晶硅片（100）的底部依次设置有隧穿氧化层（200）、第一掺杂层（300）和第一减反射层（400），且单晶硅片（100）的顶部依次设置有第二掺杂层（500）、二氧化硅钝化层（600）、氧化铝场钝化层（700）和第二减反射层（800）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江日月光能科技有限公司 一种提高电池片耐UV衰减性能的电池片结构及其制备方法
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