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申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要：本发明公开了一种光电探测薄膜晶体管及其制备方法，该光电探测薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构，该光电探测薄膜晶体管包括衬底、沟道层、源电极和漏电极，该源电极和漏电极相互绝缘且间隔设置在沟道层上，该沟道层位于衬底上，该沟道层为铝镓氧氮薄膜。该光电探测薄膜晶体管能够实现在紫外光波段的较好的响应，并尽量减少可见光波段的干扰。
主权项：1.一种光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所述光电探测薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构，所述光电探测薄膜晶体管包括衬底、沟道层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相互绝缘且间隔设置在沟道层上，所述沟道层位于衬底上，所述沟道层为铝镓氧氮薄膜。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种光电探测薄膜晶体管及其制备方法
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