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一种<001>取向高温合金籽晶的批量制备方法 

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申请/专利权人:湘潭大学

摘要:本发明公开一种001取向高温合金籽晶的批量制备方法,包括制备具有特定三维晶体取向的大块单晶体、定向切取籽晶预坯、定向切取籽晶坯和清洁籽晶坯,获得目标籽晶等步骤。本发明通过制备特定取向的大块单晶体,并对其进行定向切割批量获得001取向的籽晶,避免了对大块单晶体的取向标定,减少了制备籽晶的环节;且制备大块单晶体和切取籽晶过程中使用的基准保持一致,批量获得的籽晶取向准确、一致性好,从而能够实现方便、快捷、低成本、批量地制备001取向籽晶。

主权项:1.一种001取向高温合金籽晶的批量制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.制备具有特定三维晶体取向的大块单晶体采用定向凝固熔模铸造结合籽晶法制备大块单晶体,所述的大块单晶体表面至少有一个平面A和一个直棱B,且平面A和直棱B具有平行关系;大块单晶体的001晶向或其等效晶向与直棱B平行,大块单晶体的010晶向或其等效晶向与平面A的法线方向平行;S2.定向切取籽晶预坯采用电火花线切割机对S1所得大块单晶体进行定向切割,切割前以大块单晶体的平面A和直棱B作为定位基准,垂直直棱B和平面A将大块单晶体切成多个高度为L1的籽晶预坯,籽晶预坯的高度L1与目标籽晶的高度一致,目标籽晶为待批量制备的籽晶;S3.定向切取籽晶坯采用电火花线切割机对S2所得籽晶预坯进行定向切割,切割前以籽晶预坯上保留的大块单晶体的平面A和直棱B作为定位基准,平行直棱B将籽晶预坯切割成籽晶坯;S4.清洁籽晶坯,获得目标籽晶打磨或电解抛光籽晶坯,去除籽晶坯表面由切割引起的表面再铸层或氧化层,并进行表面清洗,使籽晶坯表面洁净,干燥后获得目标籽晶。

全文数据:

权利要求:

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