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多电压域装置 

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申请/专利权人:英飞凌科技奥地利有限公司

摘要:公开了多电压域装置,多电压域装置包括:电路衬底,其包括第一区域、第二区域以及将第一区域和第二区域电隔离的隔离区域,第一区域包括第一电路,第二区域包括第二电路;布置在电路衬底上的堆叠绝缘体层;第一线圈,其布置在堆叠绝缘体层中并且电耦接至第一电路;第二线圈,其布置在堆叠绝缘体层中并且电耦接至第二电路且磁耦合至第一线圈;以及布置在电路衬底上的场集中结构。场集中结构被配置成吸引由第一线圈产生的第一磁场,使得第一磁场集中在第一线圈周围,并且吸引由第二线圈产生的第二磁场,使得第二磁场集中在第二线圈周围。

主权项:1.一种多电压域装置,包括:电路衬底,其包括第一主表面和与所述第一主表面相对布置的第二主表面,其中,所述电路衬底包括:第一区域,其包括在第一电压域中操作的第一电路,第二区域,其包括在第二电压域中操作的第二电路,以及隔离区域,其在平行于所述第一主表面和所述第二主表面延伸的横向方向上将所述第一区域和所述第二区域电隔离;层堆叠,其布置在所述电路衬底的所述第一主表面上,所述层堆叠包括形成堆叠绝缘体层的多个子绝缘体层、布置在所述堆叠绝缘体层中的第一线圈以及布置在所述堆叠绝缘体层中并通过所述堆叠绝缘体层在所述横向方向上与所述第一线圈横向分隔的第二线圈,其中,所述第一线圈和所述第二线圈在所述横向方向上彼此磁耦合,其中,所述第一线圈电耦接至所述第一电路并且与所述第二区域隔离,并且其中,所述第二线圈电耦接至所述第二电路并且与所述第一区域隔离;以及布置在所述第一主表面上的场集中结构,其中,所述场集中结构被配置成吸引由所述第一线圈产生的第一磁场,使得所述第一磁场集中在所述第一线圈周围,并且吸引由所述第二线圈产生的第二磁场,使得所述第二磁场集中在所述第二线圈周围。

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