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磁随机存储器及制备方法 

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申请/专利权人:中电海康集团有限公司

摘要:本发明提供一种磁随机存储器,包括:基底,具有间隔设置的两个底电极;自旋轨道矩材料层,设置在所述基底上;自旋轨道矩传递层,设置在所述自旋轨道矩材料层上;其中,所述自旋轨道矩传递层包括介质材料形成的第一膜层和在所述第一膜层上采用非共线反铁磁材料形成的第二膜层;磁隧道结叠层,设置在所述自旋轨道矩传递层上;钉扎层,设置在所述磁隧道结叠层上。本发明提供的磁随机存储器及制备方法,能够有效的实现自由层的确定性翻转,避免了自由层的分流问题,提供了较大的工艺余量。

主权项:1.一种磁随机存储器,其特征在于,包括:基底,具有间隔设置的两个底电极;自旋轨道矩材料层,设置在所述基底上;自旋轨道矩传递层,设置在所述自旋轨道矩材料层上;其中,所述自旋轨道矩传递层包括介质材料形成的第一膜层和在所述第一膜层上采用非共线反铁磁材料形成的第二膜层;磁隧道结叠层,设置在所述自旋轨道矩传递层上;钉扎层,设置在所述磁隧道结叠层上。

全文数据:

权利要求:

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